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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.67Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-22 8:39:01
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