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TK9A60D中文资料

厂家型号

TK9A60D

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6

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TK9A60D数据手册规格书PDF详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.67 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V)

• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TK9A60D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK9A60D

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-4 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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