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K80E08K3

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U?묺OS??

■ E-Bike/UPS/Inverter ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 7.5 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 135 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 75 V) ● Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U?묺OS??

■ E-Bike/UPS/Inverter ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 7.5 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 135 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 75 V) ● Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-26 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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