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Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U?묺OS??

■ E-Bike/UPS/Inverter ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 7.5 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 135 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 75 V) ● Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

Digital Serial Analyzer Sampling Oscilloscope

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TEKTRONIX

泰克

更新时间:2025-12-25 23:01:00
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