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K4T51163QB-ZCCC	512MbB-dieDDR2SDRAM DDR2SDRAM The512MbDDR2SDRAMisorganizedasa32Mbitx4I/Osx4banks,16Mbitx8I/Osx4banksor8Mbitx16I/Osx4banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble data-ratetransferratesofupto533Mb/sec/pin(DDR2-533)for generalapplications. Thechip	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4T51163QC-ZCCC	512MbC-dieDDR2SDRAM The512MbDDR2SDRAMisorganizedasa32Mbitx4I/Osx4banks,16Mbitx8I/Osx4banksor8Mbitx16I/Osx4banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddoubledata-ratetransferratesofupto800Mb/sec/pin(DDR2-800)forgeneralapplications. Thechipisdesignedtocomplywi	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4T51163QE产品属性

类型
描述
型号
K4T51163QE
制造商
SAMSUNG
制造商全称
Samsung semiconductor
功能描述
512Mb E-die DDR2 SDRAM Specification

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更新时间：2024-6-18 9:39:00

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TAPEONREEL/SRAM-PSEUDO/2MX16PSEUDO/PW751BGACODE48BALL6X8/VFBGA-48/70NS/-40°~+85°C(IND)/RoHS/1.70-1.95V/TAPEONREEL/EOL/1000PCS
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