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位置：首页 > IC中文资料第5808页 > K4S560832N

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
K4S560832N

ConsumerMemory

SDRAMProductGuide MemoryDivision November2007

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung
K4S560832A

256MbitSDRAM8Mx8bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S560832Ais268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x8,392,608wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo

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三星三星半导体

Samsung
K4S560832B

256MbitSDRAM8Mx8bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S560832Bis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x8,392,608wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo

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三星三星半导体

Samsung
K4S560832C

256MbitSDRAM8Mx8bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S560832Cis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x8,392,608wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepos

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三星三星半导体

Samsung
K4S560832D

256MbitSDRAM8Mx8bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S560832Dis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x8,392,608wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepos

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三星三星半导体

Samsung
K4S560832H

SDRAMProductGuide

文件：153.79 Kbytes Page：8 Pages

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三星三星半导体

Samsung

K4S560832N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4S560832N

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    256Mb N-die SDRAM

K4S560832N供应商更多...

更新时间：2024-6-4 20:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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K4S560832N-LC75
SAMSUNG
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