型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl

SAMSUNG

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

文件:392.89 Kbytes Page:24 Pages

SAMSUNG

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

文件:392.89 Kbytes Page:24 Pages

SAMSUNG

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

文件:392.89 Kbytes Page:24 Pages

SAMSUNG

三星

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

文件:392.89 Kbytes Page:24 Pages

SAMSUNG

三星

更新时间:2026-2-11 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG(三星)
25+
N/A
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
N/A
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
SAMSUNG
24+
SSOP
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
SAMSUNG
24+
TSOP
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
SAMSUNG
25+23+
TSSOP66
36634
绝对原装正品全新进口深圳现货
SAMSUNG
2024+
FBGA
17
凯睿晟只做原装正品 实单可谈!
SAMSUNG(三星)
25+
N/A
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
SAM
23+
NA
110
专做原装正品,假一罚百!
SAMSUNG
22+
TSOP-66
8000
原装正品支持实单
SAMSUNG
0831+
TSOP66
281

K4H510438J-BICC数据表相关新闻