型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K4E160812D

2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 2,097,152 x 8 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60

Samsung

三星

2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.

Samsung

三星

K4E160812D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4E160812D

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

更新时间:2025-11-22 15:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
18+
SOJ28
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
SAMSUNG
22+
SOJ-28
8000
原装正品支持实单
SAMSUNG/三星
2025+
SOJ-28
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
SAMSUNG/三星
2447
TSOP
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
SEC
23+
TSOP28
8000
只做原装现货
SEC
23+
TSOP28
7000
K4E160812D-BC60
25+
373
373
SAMSUNG
24+
TSOJ
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
24+
SOJ
7003
SAMSUNG
2025+
TSOP28
3827
全新原厂原装产品、公司现货销售

K4E160812D数据表相关新闻