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K4E160812D-F

2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.

Samsung

三星

2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 2,097,152 x 8 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60

Samsung

三星

更新时间:2025-11-22 17:43:00
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