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20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

FastSwitching

文件:95.42 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
更新时间:2024-5-14 22:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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