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K2057

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS IV) High Speed, High Current Switching Applications Features ● Low Drain-Source ON Resistance - RDS(ON) = 0.24Ω (Typ.) ● High Forward Transfer Amittnace -|Yfs| = 15S (Typ.) ● Low Leakage Current - IDSS = -100μA (Max.)(VDS

TOSHIBA

东芝

Light Duty 2-Electrode Miniature Gas Discharge Tube

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Bourns

伯恩斯

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更新时间:2025-11-25 21:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI
05+
TO-251
5305
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
WESTCODE
专业模块
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模块原装主营-可开原型号增税票
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TOSHIBA/东芝
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东芝
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TO-3P
TOS
25+
TO-3P
18000
原厂直接发货进口原装
TOSHIBA
22+
TO-247
8000
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