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K13A50D

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SwitchingRegulatorApplications

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TOSHIBA
更新时间:2025-7-15 14:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-220F
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6200
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