| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=6.0A) Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE | IRF International Rectifier |  |   | |
N-CHANNELMOSFET N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/555 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFETS N-CHANNELPOWERMOSFETs | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFETENHANCEMENTMODE 文件：24.93 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB Seme LAB |  | | |
N-ChannelMOSFET 文件：16.63 Kbytes Page：1 Pages | SEME-LAB Seme LAB | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSIL |
2023+ |
CAN3 |
58000 |
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