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iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3

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SEME-LAB

Seme LAB

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更新时间:2025-5-17 22:30:01
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