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2N5932	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications.	ISC 无锡固电	ISC
2N5932	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5932	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

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更新时间：2025-10-24 14:17:01

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JST新品亮相：SM10B—HVMK—A连接器，开启电子连接新纪元
JST SM10B—HVMK—A连接器，10pin，3.5mm间距，5A电流，1000V VAC/VDC电压，耐3000V VAC。采用玻璃填充LCP材质，铜合金基材，锡镀层，-40℃~105℃工作温度，UL94V-0阻燃。适用于多种电子设备，性能稳定，性价比高。
2025-6-24
JUWT1275MPD 超级电容/超级电容器
JUWT1275MPD 超级电容/超级电容器 2.7volts 2.7Farads Radial
2023-4-28
JW2SN-DC5V
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2021-9-27
JW2ASN-DC5V
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2021-9-27
JW1SN-DC5V
JW1SN-DC5V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-12
JST原厂SJ2F-01GF-P1.0镀金端子J21DF系列24-20AWG现货请直拍
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2019-2-26