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isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications.

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS • Designed for general purpose power amplifier and switching applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

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SEME-LAB

更新时间:2025-12-18 22:30:01
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