型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 110A, R DS(ON) = 4.0 m W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 5.5 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

JRC6R36产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    JRC6R36

  • 制造商

    Thomas & Betts

更新时间:2026-1-1 16:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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