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CEZ6R36L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 110A, R DS(ON) = 4.0 m W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 5.5 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

更新时间:2025-8-13 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
25+
SMD
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NK/南科功率
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DFN5060-8
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国产
TOSHIBA
2025+
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