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CEZ6R36L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 110A, R DS(ON) = 4.0 m W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 5.5 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

CEZ6R36L

N Channel MOSFET

CET

华瑞

更新时间:2026-1-3 10:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
原厂原封
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