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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage : VCEO = 140V • Collector Dissipation : PC(max) = 625mW

Fairchild

仙童半导体

NPN high-voltage transistors

DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: 2N5400 and 2N5401. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • Switching and amplification in high voltage applications such as telephony.

Philips

飞利浦

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage : VCEO = 140V • Collector Dissipation : PC(max) = 625mW

Samsung

三星

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=160V, VCEO=140V • Low Leakage Current. : ICBO=100nA(Max.) VCB=100V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.25V(Max.) IC=50mA, IB=5mA • Low Noise : NF=10dB (Max.)

KEC

KEC(Korea Electronics)

NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications????

NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications.

SEMTECH

先之科

更新时间:2025-12-17 23:01:01
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