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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=400V(Min) •HighCurrentCapability •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=10A •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更新时间:2025-7-29 9:42:01
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