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POWERTRANSISTORSPNPSILICON

High-PowerPNPSiliconTransistors ...designedforuseinindustrial–militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)—2N6437=120Vdc(Min)—2N6438 •HighDCCurrentGain—hFE=20–80@IC=10Adc=12(

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS

HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: *HighDCCurrentGainhFE=20-80©lc=10A=12(Min)®lc=25A *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB=1.0A *Complementto

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •HighDCcurrentgain •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6338~2N6341 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

HIGHPOWERPNPSILICONTRANSISTORS

DESCRIPTION DesignedforuseinIndustrial-MilitaryPowerAmplifierandSwitchingCircuitApplications

SEME-LAB

Seme LAB

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High-PowerPNPSiliconTransistors

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间:2024-6-20 18:06:01
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