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POWERTRANSISTORSNPNSILICON

...designedforuseinindustrial−militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=100Vdc(Min)−2N6338=150Vdc(Min)−2N6341 •HighDCCurrentGain−hFE=30−120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc •LowCollec

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

HIGH-POWERNPNSILICONTRANSISTORS

25AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100-150VOLTS200WATTS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •HighDCcurrentgain •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=100V(Min)-2N6338=120V(Min)-2N6339=140V(Min)-2N6340=160V(Min)-2N6341 •HighSwitchingSpeed •LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=10A APPLICATIONS •Designedforuseinindustrial-militarypoweramplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-20 18:06:01
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