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DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain@IC=10Adc— hFE=2400(Typ)—2N6282,2N6283,2N6284 hFE=4000(Typ)—2N6285,2N6286,2N6287 •Collector–EmitterSustai

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

Description The2N6284isanepitaxial-baseNPNpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinTO-3metalcase.Itisintededforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypeis2N6287. Features ■Complementarytransistorsi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

DARLINGTONCOPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

bocaBoca semiconductor corporation

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DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2024-6-16 16:56:01
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