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IXKH35N60C5中文资料

厂家型号

IXKH35N60C5

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

MOSFET 35 Amps 600V

数据手册

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生产厂商

IXYS

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N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Features

• fast COOLMOS®* power MOSFET 4th generation

- High blocking capability

- Lowest resistance

- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

Applications

• Switched mode power supplies(SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

IXKH35N60C5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXKH35N60C5

  • 功能描述

    MOSFET 35 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
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IXKH35N60C5 价格

参考价格:¥30.2702

型号:IXKH35N60C5 品牌:Ixys 备注:这里有IXKH35N60C5多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXKH35N60C5批发/采购报价,IXKH35N60C5行情走势销售排排榜,IXKH35N60C5报价。