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IXGR55N120A3H1中文资料

厂家型号

IXGR55N120A3H1

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2

功能描述

Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching

IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGR55N120A3H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGR55N120A3H1

  • 功能描述

    IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
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IXYS
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