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IXGR50N60A2U1中文资料

厂家型号

IXGR50N60A2U1

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6

功能描述

Low Saturation Voltage IGBT with Low Forward Drop Diode Electrically Isolated Mounting Tab

IGBT 晶体管 50 Amps 600V

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGR50N60A2U1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGR50N60A2U1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 50 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
1503+
TO-247
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IXYS
22+
ISOPLUS247?
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+
ISOPLUS247?
9000
原装正品,支持实单
IXYS
25+
TO-247-3
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IXYS/艾赛斯
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IXYS/艾赛斯
23+
TO247
50000
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IXYS/艾赛斯
21+
TO-247
10000
原装现货假一罚十
IXYS/艾赛斯
0724+
TO247
795
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