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IXGR50N60C2D1中文资料
IXGR50N60C2D1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGR50N60C2D1
- 功能描述
IGBT 晶体管 35 Amps 600V 2.5 V Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间:2024-4-28 14:12:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
19+ |
ISOPLUS247? |
56800 |
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IXYS |
23+ |
ISOPLUS247 |
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IXYS |
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TO-247 |
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IXYS |
23+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原装正品,支持实单 |
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IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
21+ |
ISOPLUS247? |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
ISOPLUS247 |
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IXYS-艾赛斯 |
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TO-247-3 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
10000 |
公司只做原装正品 |
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IXYS |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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