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IXGP30N60B4D1中文资料

厂家型号

IXGP30N60B4D1

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功能描述

High-Speed PT Trench IGBT

IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGP30N60B4D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGP30N60B4D1

  • 功能描述

    IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-9-30 15:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
TO220
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO220
7000
IXYS
1215+
TO-220
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
IXYS
24+
TO-220
8866
IXYS
25+
TO-220
1675
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IXYS/艾赛斯
21+
TO220
10000
原装现货假一罚十