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IXGP2N100中文资料
IXGP2N100产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGP2N100
- 功能描述
IGBT 晶体管 4 Amps 1000V 2.7 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间:2024-5-16 10:08:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
21+ |
TO220AB |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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IXYS |
1746+ |
TO220 |
8862 |
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IXYS |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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IXYS |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原装正品 |
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IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
20 |
全新原装 货期两周 |
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