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IXGP24N60C4D1中文资料
IXGP24N60C4D1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGP24N60C4D1
- 功能描述
IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-10-7 10:31:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-220 |
375 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
20 |
全新原装 货期两周 |
||||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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