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YG861S12R中文资料

厂家型号

YG861S12R

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268.88Kbytes

页面数量

2

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

High Voltage Schottky barrier diode

数据手册

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生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

YG861S12R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    YG861S12R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    High Voltage Schottky barrier diode

更新时间:2024-5-21 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
富士通FUJITSU
23+
TO-TO-220F
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
SINOPWER
23+
SOP-8
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
FUJITSU/富士通
23+
TO-220F
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
FUJITSU/富士通
23+
TO-220F
10000
公司只做原装正品
FUJITSU/富士通
22+
TO-220F
6000
十年配单,只做原装
FUJI/富士电机
TO-220F
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
富士通FUJITSU
23+
TO-220F
6000
原装正品,支持实单
FUJI
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
富士通FUJITSU
22+
TO-220F
25000
只做原装进口现货,专注配单
富士通FUJITSU
22+
TO-220F
25000
只做原装进口现货,专注配单

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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 21953条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售