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YG861S12R中文资料

厂家型号

YG861S12R

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2

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

High Voltage Schottky barrier diode

数据手册

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生产厂商

ISC

YG861S12R数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

YG861S12R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    YG861S12R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    High Voltage Schottky barrier diode

更新时间:2025-10-17 17:19:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SINOPWER
23+
SOP-8
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
FUJITSU/富士通
22+
TO-220F
6000
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FUJI/富士电机
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1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
FUJI/富士电机
23+
N/A
11550
FUJI/富士电机系列在售
FUJI/富士电机
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FUJI
1923+
TO-220F
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FUJI/富士电机
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23+24
TO-220F
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管

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