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YG852C12R中文资料

厂家型号

YG852C12R

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2

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Diode

数据手册

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生产厂商

ISC

YG852C12R数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

YG852C12R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    YG852C12R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2025-10-12 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI/富士电机
17+
TO-220F
31518
原装正品 可含税交易
JINGDAO/晶导微
23+
SMA(DO-214AC)
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
FUJI
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
富士通FUJITSU
25+
TO-TO-220F
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
FUJITSU/富士通
24+
NA/
3839
原装现货,当天可交货,原型号开票
FUJ
23+24
TO220F
17733
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC
FUJITSU/富士通
24+
TO-220F
60000
全新原装现货
FUJI
24+
TO-220F
6000
FUJI/富士电机
23+
TO-220F
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
FUJI
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货

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