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YG858C15R中文资料

厂家型号

YG858C15R

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2

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Diode

数据手册

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生产厂商

ISC

YG858C15R数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

YG858C15R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    YG858C15R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2025-10-8 15:52:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
SO-8
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
FUJITSU/富士通
22+
TO-220F
6000
十年配单,只做原装
富士通FUJITSU
23+
TO-220F
6000
原装正品,支持实单
FUJI
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
富士通FUJITSU
25+
TO-TO-220F
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
FUJI
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
FUJI
13+
TO-220F
20
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FUJI
23+
TO-220F
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FUJI/富士电机
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