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SUB85N03-04P中文资料

厂家型号

SUB85N03-04P

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346.22Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 30V 85A 166W

数据手册

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生产厂商

ISC

SUB85N03-04P数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 4.3mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

SUB85N03-04P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB85N03-04P

  • 功能描述

    MOSFET 30V 85A 166W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
TO-263
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
VISHAY/威世
17+
TO-263
31518
原装正品 可含税交易
VISHAY/威世
24+
TO-263
501556
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
VISHAY/威世
09+
TO-263
18400
深圳原装进口无铅现货
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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