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FEATURES
·Drain Current -ID=2.7A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 2.5Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
STD3N62K3产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD3N62K3
- 功能描述
MOSFET N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
5000 |
原厂原装现货 |
|||
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-252-3 |
6005 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
504480 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ST |
24+ |
TO-252 |
7500 |
||||
ST |
2020+ |
TO-252 |
1354 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
STMicro. |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原装优势 |
|||
ST |
24+ |
08+ |
2 |
原装现货假一罚十 |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
STD3N62K3 价格
参考价格:¥2.4271
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STD3N62K3公司全新原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-9-11
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- 16110-S3-L-X
- 16110-S3-M-X
- 2006-911SLASH1000-836
- 342-024-540-101
- 342-024-540-102
- 342-024-540-103
- 342-024-540-104
- ACZ11NBR1E-15KQA1-12
- ACZ11NBR1E-15KQA1-12C
- ACZ11NBR1E-15KQA1-15
- ACZ11NBR1E-15KQA1-20
- ACZ11NBR1E-15KQA1-20C
- ACZ11NBR1E-15KQA1-30
- ACZ11NBR1E-15KQA1-30C
- ACZ11NBR1E-15KQA1-30C15P
- ACZ11NBR1E-15KQD1-12
- CTBP9508/5
- MUWT02304-B
- MUWT02304-B/Q
- MUWT02304-C
- MUWT02304-C/Q
- MUWT02304-P
- MUWT02304-P/Q
- MUWT02304-R
- MUWT02304-R/Q
- SS-CVS-MOD-G-SWITCH-1M
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售