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PHD21N06LT中文资料

厂家型号

PHD21N06LT

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功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

两极晶体管 - BJT TRENCH-55

数据手册

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生产厂商

ISC

PHD21N06LT数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHD21N06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD21N06LT

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TRENCH-55

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-13 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
25+
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原装正品 可含税交易
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