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PHD18NQ10T中文资料
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FEATURES
·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
PHD18NQ10T产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHD18NQ10T
- 功能描述
两极晶体管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
PH |
24+ |
SOT428TO-252 |
8866 |
||||
恩XP |
16+ |
NA |
8800 |
诚信经营 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
恩XP |
20+ |
SOT428TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
PHI |
1709+ |
TO-252/D- |
32500 |
普通 |
|||
恩XP |
23+ |
SOT428TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
恩XP |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
PHI |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
PHI |
23+ |
TO-252D-PAK |
125800 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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- 47DV-1027-M2SLASHQ
- 47DV-1027-PSLASHQ
- 47DV-1027-RSLASHQ
- CCX.75.RG0.59BU62N
- K127A-D024P-1AT2-90
- K127A-D024P-1AT2C-90
- K127A-D024P-1AT2C-CXXXX
- K127A-D024P-1AT2NIL-CXXXX
- K127A-D024P-1BT2-90
- K127A-D024P-1BT2NIL-CXXXX
- K127A-D048P-1BT2-90
- LMK107B7474KA8T
- LMK107B7474MA8T
- MPAU-B2LC-FSLASHQ
- MPAU-B2LC-GSLASHQ
- MPAU-B2LC-JSLASHQ
- MPAU-B2LC-RSLASHQ
- MPAU-B2LC-SSLASHQ
- MPAU-B2LC-VSLASHQ
- TP75A-H25S25T1-200.000MTR
- TP75A-H25S25T2-200.000MTR
- TPSMA47CA
- VO615AX001
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售