位置:PHD13003C > PHD13003C详情
PHD13003C中文资料
PHD13003C数据手册规格书PDF详情
General description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a SOT54 (TO-92) plastic package.
Features and benefits
• High typical DC current gain
• Fast switching
• High voltage capability
• Integrated anti-parallel E-C diode
Applications
• Compact fluorescent lamps (CFL)
• Low power electronic lighting ballasts
• Off-line self-oscillating power supplies (SOPS) for battery charging
PHD13003C产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHD13003C
- 制造商
NXP Semiconductors
- 功能描述
TRANSISTORDIODENPN400V1.5ATO92
- 制造商
NXP Semiconductors
- 功能描述
TRANSISTOR,DIODE,NPN,400V,1.5A,TO92
- 制造商
NXP Semiconductors
- 功能描述
TRANSISTOR,DIODE,NPN,400V,1.5A,TO92; Transistor
- Polarity
NPN; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo
400V; Power Dissipation
- Pd
2.1W; DC Collector
- Current
1.5A; DC Current Gain
- hFE
17; No. of
- Pins
3 ;RoHS
- Compliant
Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
WEEN |
1809+ |
TO-92-3 |
6675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
WeEn(瑞能) |
2447 |
TO-92-3 |
105000 |
10000个/盒一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
|||
WeEn Semiconductors |
25+ |
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
WeEn(瑞能) |
23+ |
TO-92-3 |
9710 |
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT) |
|||
NXP |
1735+ |
TO92 |
6528 |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
|||
NXP |
24+ |
TO92 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO92 |
125800 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
NXP |
1122+ |
TO92 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NXP |
23+ |
TO92 |
2530 |
原厂原装正品 |
|||
NXP |
23+ |
TO92 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
PHD13003C,126 价格
参考价格:¥0.4439
PHD13003C 资料下载更多...
PHD13003C 芯片相关型号
- 901-9876-RFX-EE
- ATS-13G-201-C3-R0
- ERJ3EKF2202V
- PAE50S48-5-V
- PAF450F280-48-T
- PAF500F24-12-T
- PAF500F24-28-T
- PAF500F48-12-T
- PAF500F48-28-T
- PAF500F48-5-T
- PHD13005
- RTQ2532W
- RTQ2532WGQV
- RTQ2533W
- RTQ2533WGQV
- RTQ2536GQW-QA
- RTQ2536-QA
- S-19200A
- S-19200A33H-E6T1U
- S-19200A33H-V5T2U
- S-19200A50H-E6T1U
- S-19200A50H-V5T2U
- S-19200B33H-E6T1U
- S-19200B33H-V5T2U
- S-19200B50H-E6T1U
- YTF541
- YTF630
- YTF631
- YTF640
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
WeEn Semiconductors 瑞能半导体科技股份有限公司
瑞能半导体科技股份有限公司(WeEn Semiconductors)注册于2015年8月5号,运营中心落户上海,全资子公司和分支机构,包括吉林芯片生产基地,香港子公司,上海和英国产品及研发中心,东莞物流中心,以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。 2018年9月,瑞能半导体可靠性测试实验室及失效分析实验室在江西省南昌县正式开业, 可以对包括二极管,三极管以及可控硅等分立器件产品进行可靠性测试以及失效分析。 自诞生以来,瑞能已走过逾 50 年辉煌历程。作为全球功率半导体行业的佼佼者,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合,公司主要产品主要包括碳化硅器件,可控硅整流器和晶闸管