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PHD13003C中文资料

厂家型号

PHD13003C

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438.34Kbytes

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13

功能描述

NPN power transistor with integrated diode

两极晶体管 - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A

数据手册

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简称

WEEN瑞能半导体

生产厂商

WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体科技股份有限公司官网

LOGO

PHD13003C数据手册规格书PDF详情

General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a SOT54 (TO-92) plastic package.

Features and benefits

• High typical DC current gain

• Fast switching

• High voltage capability

• Integrated anti-parallel E-C diode

Applications

• Compact fluorescent lamps (CFL)

• Low power electronic lighting ballasts

• Off-line self-oscillating power supplies (SOPS) for battery charging

PHD13003C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD13003C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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PHD13003C,126 价格

参考价格:¥0.4439

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WeEn Semiconductors 瑞能半导体科技股份有限公司

中文资料: 1495条

瑞能半导体科技股份有限公司(WeEn Semiconductors)注册于2015年8月5号,运营中心落户上海,全资子公司和分支机构,包括吉林芯片生产基地,香港子公司,上海和英国产品及研发中心,东莞物流中心,以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。 2018年9月,瑞能半导体可靠性测试实验室及失效分析实验室在江西省南昌县正式开业, 可以对包括二极管,三极管以及可控硅等分立器件产品进行可靠性测试以及失效分析。 自诞生以来,瑞能已走过逾 50 年辉煌历程。作为全球功率半导体行业的佼佼者,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合,公司主要产品主要包括碳化硅器件,可控硅整流器和晶闸管