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PHD10N10E中文资料

厂家型号

PHD10N10E

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

PHD10N10E数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

更新时间:2025-12-1 11:04:00
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