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PHD101NQ03LT中文资料

厂家型号

PHD101NQ03LT

文件大小

280.6Kbytes

页面数量

13

功能描述

TrenchMOS??logic level FET

两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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简称

PHILIPS飞利浦

生产厂商

Philips Semiconductors

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

PHD101NQ03LT数据手册规格书PDF详情

Description

N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHB101NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)

PHD101NQ03LT in SOT428 (D-PAK).

Features

■ Low gate charge

■ Low on-state resistance.

Applications

■ Optimized as a control FET in DC to DC convertors

PHD101NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD101NQ03LT

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-6-2 17:20:00
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