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PHD101NQ03LT中文资料

厂家型号

PHD101NQ03LT

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

ISC

PHD101NQ03LT数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHD101NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD101NQ03LT

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-7 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
25+
SOT428
600000
NEXPERIA/安世全新特价PHD101NQ03LT,118即刻询购立享优惠#长期有排单订
Nexperia(安世)
24+
SOT-428
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
恩XP
24+
TO-252
504348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
恩XP
1415+
TO-252
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