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FEATURES
·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 5.5mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
PHB153NQ08LT产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHB153NQ08LT
- 功能描述
MOSFET TRENCH-75
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飞利浦 |
24+ |
65200 |
|||||
NXP |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
NXP |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品,支持实单 |
|||
PHILIPS |
501 |
TO263 |
40 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
D2PAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
PHILIPS |
2023+ |
SMD |
1600 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
|||
PHILIPS |
2023+ |
TO263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
NXP |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
|||
NXP |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
7000 |
||||
NXP/恩智浦 |
22+ |
D2PAK |
93819 |
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- 10BX-2/C01
- 10BX-2/C02
- 10BX-2/C03
- 10BX-2/W
- 336.5084087
- 626-025-262-010
- 626-025-262-011
- 626-025-262-013
- GJM1555C1H120JB01
- GJM1555C1H120JB01_V01
- NT6XH8M32RAK-S1
- NT6XH8M32RBC-S1
- NT6XH8M32RBD-S1
- NT6XH8M32RBG-S1
- NT6XH8M32RBG-S2
- NT6XH8M32RBK-S1
- NT6XH8M32RCC-S1
- NT6XH8M32RCD-S1
- NT6XH8M32RCG-S1
- NT6XH8M32RCG-S2
- NT6XH8M32RCK-S1
- PHB152NQ03LT
- TPS6503320AARGERQ1
- WRPP-CMN-M2/Q
- WRPP-CMN-P
- WRPP-CMN-P/Q
- WRPP-CMN-R
- WRPP-CMN-R/Q
- WRPP-CMN-R2
- WRPP-CMN-R2/Q
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售