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BDT60C中文资料
BDT60C产品属性
- 类型
描述
- 型号
BDT60C
- 功能描述
达林顿晶体管 50W 4A PNP
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
isc |
2024 |
TO-220 |
8000 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
ST |
1145+ |
TO-220 |
80 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
91344 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
ST |
2023+ |
TO-220 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
91344 |
||||
ST |
1145+ |
TO-220 |
180 |
全新原装 实单必成 |
|||
ST |
22+ |
TO-220 |
16900 |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
|||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3330 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ST |
2023+ |
TO-220 |
52688 |
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- MPC5601PEF0VLL6R
- MUR123
- MUR428G
- MUR452G
- MUR659CT
- MUR849
- NDM2Z-50
- PDM1-S24-D9-S
- PDM1-S5-D9-S
- PDM2-S24-D5-S
- PDM2-S3-S5-D
- PDM2-S5-S15-D
- PDS1-S12-S3-M
- PDS1-S3-S5-S
- PDS1-S5-D5-M
- PK15
- PK25-D5-S12
- PQD6-Q24-S3-D
- V7801A-1000-SMT
- VCQ15-Q48-D15-T
- VHD1-S12-S9-DIP
- VIBLT1-S24-S9-SMT
- VMS-300-D1224-CF
- VMS-40-30
BDT60C 晶体管资料
BDT60C别名：BDT60C三极管、BDT60C晶体管、BDT60C晶体三极管
BDT60C生产厂家：英国Mullard有限公司
BDT60C制作材料：Si-P+Darl+Di
BDT60C性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
BDT60C封装形式：直插封装
BDT60C极限工作电压：120V
BDT60C最大电流允许值：4A
BDT60C最大工作频率：>10MHZ
BDT60C引脚数：3
BDT60C最大耗散功率：50W
BDT60C放大倍数：β>750
BDT60C图片代号：B-89
BDT60Cvtest：120
BDT60Chtest：10000100
- BDT60Catest：4
BDT60Cwtest：50
BDT60C代换 BDT60C用什么型号代替：BDW54D,BDW64D,
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 21834条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
