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BDT60C中文资料
BDT60C数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A;
-100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C
·Complement to Type BDT61/A/B/C
APPLICATIONS
·Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications
BDT60C产品属性
- 类型
描述
- 型号
BDT60C
- 功能描述
达林顿晶体管 50W 4A PNP
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220FA |
10000 |
全新 |
||||
ST/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
恩XP |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
恩XP |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-TO-220F |
123500 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
ST |
26+ |
SOP8 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
ST |
1145+ |
TO-220 |
80 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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- CLB1E6U7R5K1000TC1
- MPC5601PEF0MLH6R
- MPC5601PEF0VLL6R
- MUR123
- MUR428G
- MUR452G
- MUR659CT
- MUR849
- NDM2Z-50
- PDM1-S24-D9-S
- PDM1-S5-D9-S
- PDM2-S24-D5-S
- PDM2-S3-S5-D
- PDM2-S5-S15-D
- PDS1-S12-S3-M
- PDS1-S3-S5-S
- PDS1-S5-D5-M
- PK15
- PK25-D5-S12
- PQD6-Q24-S3-D
- V7801A-1000-SMT
- VCQ15-Q48-D15-T
- VHD1-S12-S9-DIP
- VIBLT1-S24-S9-SMT
- VMS-300-D1224-CF
- VMS-40-30
BDT60C 晶体管资料
BDT60C别名：BDT60C三极管、BDT60C晶体管、BDT60C晶体三极管
BDT60C生产厂家：英国Mullard有限公司
BDT60C制作材料：Si-P+Darl+Di
BDT60C性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
BDT60C封装形式：直插封装
BDT60C极限工作电压：120V
BDT60C最大电流允许值：4A
BDT60C最大工作频率：>10MHZ
BDT60C引脚数：3
BDT60C最大耗散功率：50W
BDT60C放大倍数：β>750
BDT60C图片代号：B-89
BDT60Cvtest：120
BDT60Chtest：10000100
- BDT60Catest：4
BDT60Cwtest：50
BDT60C代换 BDT60C用什么型号代替：BDW54D,BDW64D,
Datasheet数据表PDF页码索引
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