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BDT60B中文资料

厂家型号

BDT60B

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功能描述

Complement to Type BDT61/A/B/C

达林顿晶体管 50W 4A PNP

数据手册

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生产厂商

ISC

BDT60B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A;

-100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C

·Complement to Type BDT61/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications

BDT60B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDT60B

  • 功能描述

    达林顿晶体管 50W 4A PNP

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-6 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
ST
17+
TO-220
6200
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252(D
69820
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ST
22+
TO-220
6000
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25+
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