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BDT60B中文资料
BDT60B产品属性
- 类型
描述
- 型号
BDT60B
- 功能描述
达林顿晶体管 50W 4A PNP
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-220 |
10000 |
全新 |
|||||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
23+ |
N/A |
85600 |
正品授权货源可靠 |
||||
ST |
23+ |
TO-TO-220 |
35628 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
ST |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252(D |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
ST |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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BDT60B 芯片相关型号
BDT60B 晶体管资料
BDT60B别名：BDT60B三极管、BDT60B晶体管、BDT60B晶体三极管
BDT60B生产厂家：英国Mullard有限公司
BDT60B制作材料：Si-P+Darl+Di
BDT60B性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
BDT60B封装形式：直插封装
BDT60B极限工作电压：100V
BDT60B最大电流允许值：4A
BDT60B最大工作频率：>10MHZ
BDT60B引脚数：3
BDT60B最大耗散功率：50W
BDT60B放大倍数：β>750
BDT60B图片代号：B-89
BDT60Bvtest：100
BDT60Bhtest：10000100
- BDT60Batest：4
BDT60Bwtest：50
BDT60B代换 BDT60B用什么型号代替：BD682,BDW24C,BDW54C,BDW64C,TIP117,
NJSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P77
- P78
- P79
- P80
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体产品股份有限公司
中文资料: 26397条
New Jersey Semiconductor has been 新泽西半导体公司 designing, manufacturing, and producing highly reliable electronic devices since 1957. Our 自1957年以来，设计、制造和生产高度可靠的电子设备。我们的 mission is to supply you with high quality, cost effective discrete devices for commercial, 我们的使命是为您提供高质量、低成本的商用分立设备， industrial,
