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IRL3103D1中文资料

厂家型号

IRL3103D1

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6

功能描述

FETKY??MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A)

MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

数据手册

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生产厂商

IRF

IRL3103D1数据手册规格书PDF详情

Description

The FETKY family of copackaged HEXFET power MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. A low on resistance Gen 5 MOSFET with a low forward voltage drop Schottky diode and minimized component interconnect inductance and resistance result in maximized converter efficiencies.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Copackaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode

● Generation 5 Technology

● Logic Level Gate Drive

● Minimize Circuit Inductance

● Ideal For Synchronous Regulator Application

IRL3103D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3103D1

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    FETKY™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-29 16:14:00
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