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IRL3102S中文资料

厂家型号

IRL3102S

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90.92Kbytes

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8

功能描述

Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013w, Id=61A)

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRL3102S数据手册规格书PDF详情

Description

These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results

in a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost.

The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

Advanced Process Technology

Surface Mount

Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

Fast Switching

IRL3102S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3102S

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-11 14:57:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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