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Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRL2203N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRL2203N
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
20540 |
保证进口原装现货假一赔十 |
|||
IR |
25+ |
TO-220 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
2020+ |
TO-220 |
22000 |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
|||
IR |
24+ |
TO-220AB |
10000 |
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IRL2203NPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
15000 |
全新原装的现货 |
|||
IR |
ROHS全新原装 |
TO-263 |
9782 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
|||
IR |
16+ |
TO-220 |
6181 |
全新原装/深圳现货库2 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
65400 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
18454 |
原装进口假一罚十 |
IRL2203NSTRLPBF 价格
参考价格：￥4.4757
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