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IRGSL6B60KPBF中文资料

厂家型号

IRGSL6B60KPBF

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14

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT N-CH 600V 13A TO-262

数据手册

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生产厂商

IRF

IRGSL6B60KPBF数据手册规格书PDF详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free.

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

IRGSL6B60KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGSL6B60KPBF

  • 功能描述

    IGBT N-CH 600V 13A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
25+
TO-262
3000
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Infineon Technologies
22+
TO262
9000
原厂渠道,现货配单
IR
23+
TO-262
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
Infineon Technologies
25+
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26
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