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IRGSL4B60KD1PBF中文资料
IRGSL4B60KD1PBF数据手册规格书PDF详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
IRGSL4B60KD1PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGSL4B60KD1PBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-9 16:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262-3 |
346 |
||||
Infineon |
24+ |
NA |
3668 |
进口原装正品优势供应 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
INFINEON |
25+ |
TO-262 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO262 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
05+ |
TO262 |
343 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
IRGSL4B60KD1PBF 价格
参考价格：￥8.8046
型号：IRGSL4B60KD1PBF 品牌：IR 备注：这里有IRGSL4B60KD1PBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGSL4B60KD1PBF批发/采购报价，IRGSL4B60KD1PBF行情走势销售排排榜，IRGSL4B60KD1PBF报价。
IRGSL4B60KD1PBF 资料下载更多...
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- CC0805MKYSV5BN271
- CC0805NPYSV5BN271
- CC0805ZCYSV5BN390
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- CC1206MCYSV5BN271
- CC1206MCYSV5BN390
- CMR1U-02FL
- CMR1U-06FL
- GSS-141N
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- S35LA
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- SL1010003_14
- TLE2021ACPS
- TLE2021ACPSG4
- TMS27C010A-150JE
Datasheet数据表PDF页码索引
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