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IRGSL4062DPBF中文资料
IRGSL4062DPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGSL4062DPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V Low VCEon
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
22+ |
TO-262 |
500 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
7750 |
全新原装优势 |
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ir |
dc12 |
原厂封装 |
150 |
INSTOCK:50/tube/to220 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
8650 |
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ir |
23+ |
NA |
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IR |
22+23+ |
TO-262 |
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23+ |
N/A |
49500 |
正品授权货源可靠 |
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InfineonT |
2022+ |
400 |
全新原装 货期两周 |
||||
IR |
23+ |
TO-262 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
1284 |
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IRGSL4062DPBF 价格
参考价格:¥20.3014
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- SMCJ170CA
- SMCJ30CA
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- SMCJ43CA
- SMLJ100CA
- SMLJ14CA
- SMLJ60CA
- SMLJ9.0CA
- SMLJ90CA
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- SPA11N65C3
- SPD30P06P_08
- SPI20N65C3
- TLE7189QK
Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier 英飞凌科技公司
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技