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IRG4BC20K-S中文资料

厂家型号

IRG4BC20K-S

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162.34Kbytes

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8

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IGBT UFAST 600V 16A D2PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC20K-S数据手册规格书PDF详情

Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI / Noise and switching losses in the Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• This part replaces the IRGBC20K-S and IRGBC20M-S devices

IRG4BC20K-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20K-S

  • 功能描述

    IGBT UFAST 600V 16A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-6 14:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2021+
TO-263
9000
原装现货,随时欢迎询价
IR
24+/25+
5250
原装正品现货库存价优
IR
13+
TO-263
9188
原装分销
IR
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON
25+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IR
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
TO263
10000
原装现货假一罚十
IR
22+
D2-Pak
6000
十年配单,只做原装
IR
23+
D2-Pak
6000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务